[发明专利]一种碳化硅晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202010150356.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111172593B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 朱华建 | 申请（专利权）人： | 福建三邦硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 宋秀兰 |
| 地址： | 350314 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体的生长方法，所述方法包括如下步骤：(1)将碳化硅粉末放入坩埚中，加热至2000‑2100℃，升温速率200‑400℃/h，保温0.5‑1h，最后以50‑100℃/h降至室温，得到物质A；(2)将物质A放入含有籽晶的坩埚内，加热坩埚使物质A升华后再结晶，得到碳化硅晶体，本发明具有生长速率高、低缺陷、高纯度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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