[发明专利]一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉在审
| 申请号： | 202010150443.4 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113355741A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郭谦;张文霞;高润飞;武志军;郭志荣;霍志强;张石晶;赵志远;田鑫阳 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉单晶引晶工艺，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内。本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺，通过两组CCD测得的引晶直径作对比，选择CCD中显示的最小直径为引晶直径，并通过该直径进行引晶调节，获得合格的引晶晶体，且引晶晶体不发生引断，引晶成晶率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉单晶引晶 工艺 用于 单晶炉 | ||
【主权项】：
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