[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配设在与衬底的表面交叉的第1方向，且在与第1方向交叉的第2方向延伸；多个绝缘层，分别设置在多个导电层之间；半导体层，在第1方向延伸，与多个导电层及多个绝缘层对向；及栅极绝缘层，设置在多个导电层与半导体层之间；且具有形成多个导电层、多个绝缘层、半导体层及栅极绝缘层的第1区域、以及与该第1区域不同的第2区域，多个导电层包含多个第1导电层及多个第2导电层，所述半导体存储装置在第2区域的与多个第1导电层相同的层具备与第1导电层不同的多个第1膜，在第2区域的与多个第2导电层相同的层具备与第2导电层及第1膜不同的多个第2膜。