[发明专利]一种可改善n型欧姆接触的深紫外LED外延片在审
| 申请号： | 202010150814.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111244234A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 崔志勇;张晓娜;张向鹏 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，所述外延片包括：衬底；AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层，形成在所述衬底上；N极半导体层，所述N极半导体层包括第一n‑AlGaN层、n‑GaN层以及第二n‑AlGaN层；所述第一n‑AlGaN层、n‑GaN层和第二n‑AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次设置。通过上述结构的N极设计能够有效改善深紫外LED外延片N极的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 欧姆 接触 深紫 led 外延 | ||
【主权项】：
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