[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010151349.0 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111383913A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 单静静;章诗;曾最新;钟杜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开一种刻蚀方法，所述方法包括：提供待刻蚀的半导体结构；在所述半导体结构上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述第二硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第二硬掩膜层，形成暴露所述第一硬掩膜层的第一沟槽；以刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层，形成与第一沟槽连通的第二沟槽；利用清洗溶液对所述第二沟槽的内壁进行清洗，所述清洗溶液包括能够清除第二硬掩膜层材料的溶液；以清洗后的第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
