[发明专利]晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用在审
申请号: | 202010152376.X | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111146313A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 卢璋;邱仲财;祖基才;黄双枝 | 申请(专利权)人: | 欧浦登(顺昌)光学有限公司;欧浦登(福州)光学有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;B82Y40/00 |
代理公司: | 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 | 代理人: | 程捷;杨慧娟 |
地址: | 353216 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法,其采用喷砂设备先在硅片表面形成微米级麻面层,而后在微米级麻面层表面进一步制造纳米级麻面层,而后通过蚀刻工艺最终形成纳米级麻面层完全去浊后光滑透光,微米级麻面层去蚀工序后仍留有低反射的半透明浊度层的复合绒面结构。其工艺过程简单,微米麻面层以及纳米麻面层的深度稳定可控、成型精度高,形成的微纳浊透复合结构不但增大了太阳能电池片晶体硅的受光的面积,并且受光照角度影响小,能接受的斜光束大,无论是晨阳还是夕阳的微弱阳光均能有效响应,制得的太阳能电池片可水平摆放,细微的纳米级透亮的浅坑十分利于吸收微弱的反射光,全方位提高了红橙弱光利用率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 微纳浊透 复合 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧浦登(顺昌)光学有限公司;欧浦登(福州)光学有限公司,未经欧浦登(顺昌)光学有限公司;欧浦登(福州)光学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010152376.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线充电异物检测方法
- 下一篇:一种泥浆压滤机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的