[发明专利]晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010152376.X 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111146313A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 卢璋;邱仲财;祖基才;黄双枝 申请(专利权)人: 欧浦登(顺昌)光学有限公司;欧浦登(福州)光学有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;B82Y40/00
代理公司: 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 代理人: 程捷;杨慧娟
地址: 353216 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法,其采用喷砂设备先在硅片表面形成微米级麻面层,而后在微米级麻面层表面进一步制造纳米级麻面层,而后通过蚀刻工艺最终形成纳米级麻面层完全去浊后光滑透光,微米级麻面层去蚀工序后仍留有低反射的半透明浊度层的复合绒面结构。其工艺过程简单,微米麻面层以及纳米麻面层的深度稳定可控、成型精度高,形成的微纳浊透复合结构不但增大了太阳能电池片晶体硅的受光的面积,并且受光照角度影响小,能接受的斜光束大,无论是晨阳还是夕阳的微弱阳光均能有效响应,制得的太阳能电池片可水平摆放,细微的纳米级透亮的浅坑十分利于吸收微弱的反射光,全方位提高了红橙弱光利用率。
搜索关键词: 硅片 微纳浊透 复合 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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