[发明专利]一种MRAM、温度自适应的MRAM的读取电路及方法有效
| 申请号： | 202010152753.X | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111370042B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 何世坤;张恺烨;熊保玉 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁曼曼 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MRAM、温度自适应的MRAM的读取电路及方法，该电路包括：待测存储位元检测电路、参考存储位元检测电路和比较电路。分别对待测存储位元和参考存储位元施加第一电信号和第二电信号，使得参考存储位元在被第二电信号读取时处于反平行态，此时参考存储位元的电阻介于平行态电阻和反平行态电阻之间。通过比较待测结果和参考结果，就可以得到读取结果。由于参考存储位元为MRAM中的存储位元，故其随温度变化的规律与待测存储位元的变化规律相同，且参考存储位元一直处于反向平行态，故不会出现读扰动。当工艺改变时，参考存储位元会自适应改变，故不需要再进行测试校准。最后，由于存储位元的可读取次数多，所以使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 温度 自适应 读取 电路 方法 | ||
【主权项】：
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