[发明专利]一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用

摘要

本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用，其包括1T’‑MoTe2和2H‑MoTe2两部分，且两部分间通过层间范德华力连接；制备步骤：S1将四钼酸铵和氯化钠的混合溶液烘干后作为钼源放入反应器，并在钼源上放置生长基底，将碲粉作为碲源放入反应器并置于钼源的上游；S2将钼源和碲源处温度升高到反应温度后自然降温至室温，同时向反应器中通入载气以将碲源带至钼源处，并通入还原剂，在生长基底上生成二维二碲化钼垂直异质结。本发明制备出的金属相和半导体相垂直堆垛的MoTe2异质结构，可以有效降低金属电极和材料接触的肖特基势垒，为改善金属‑半导体接触提供了重要的思路。