[发明专利]一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法有效
| 申请号： | 202010154839.6 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111428437B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;毛书漫;吴韵秋;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F17/18;G06F17/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法，涉及电子信息‑信息技术领域。针对现有技术存在的问题，本发明提供一种微波氮化镓高电子迁移率晶体管准物理基大信号模型的器件统计模型高效参数提取的实现方法。本发明通过获取包含多个尺寸相同的不同GaN器件管芯对应的大信号模型参数数据集，并在参数数据集中，对多个物理参数及其子模型参数进行统计分析，结合因子分析的统计学理论，精确表征各参数之间的关联特性，最终实现对器件输出特性统计分布的预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 晶体管 物理 统计 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
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