[发明专利]一种Si掺杂Inx

摘要

本发明实施方式公开了一种Si掺杂InxAl1‑xN薄膜的制备方法，本方法采用磁控溅射，采用Si(100)作为基片，金属In靶、金属Al靶、陶瓷Si3N4靶安装于真空室内，并对真空室抽真空使得真空室内真空度降低到10‑4Pa以下，设置InxAl1‑xN薄膜制备工艺参数，其中靶材与基片的距离为50mm，真空压强为0.6pa，衬底温度600℃，Ar∶N2的流量比为20∶10，Si3N4靶材功率设为20‑40W，In靶材功率为70‑110W，Al靶材功率为200‑300W，溅射时间为30min后即可得到掺杂Si的InxAl1‑xN薄膜。本方法制备操作简单，而且能够高效快速大面积成膜，且通过在InxAl1‑xN薄膜中掺杂Si，使其载流子浓度提升从而改善其性能，且通过设置各靶材的功率可以提高薄膜结晶性。