[发明专利]一种基于反应性膏体的互连方法有效
| 申请号： | 202010155410.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111415903B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 唐宏浩;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于反应性膏体的互连方法，包括：S1：混合金属纳米材料的反应前驱体、刻蚀剂，还原剂、包被剂、溶剂，获得单相反应性膏体；S2：将所述单相反应性膏体印刷至基板，加热所述单相反应性膏体，获得所述反应性膏体，所述反应性膏体包括纳米金属颗粒，纳米金属线，和/或纳米金属片S3：冷却所述基板；S4：将芯片放置与所述反应性膏体表面，获得预制件；S5：烧结所述预制件，互连所述基板及所述芯片。本发明通过改变反应前驱体、刻蚀剂，还原剂的质量比，调控加热温度和时间，获得的多种纳米金属形貌，在较低烧结温度下更好地实现无压烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反应 性膏体 互连 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
