[发明专利]JFET器件的制备方法和JFET器件有效
| 申请号： | 202010156295.7 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111403293B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;房子荃 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/36;H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种JFET器件的制备方法和JFET器件，该方法包括：提供一衬底，该衬底为P型衬底，该衬底中形成有深N型阱；在衬底上形成场氧层，深N型阱覆盖场氧层的底部；在深N型阱中形成至少两个N型阱，在深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；在深N型阱中形成PTOP，PTOP将深N型阱隔断为上部区域和下部区域，PTOP的两端分别与第一P型阱和第二P型阱接触，至少两个N型阱位于上部区域；在深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。本申请通过在JFET器件的深N型阱中形成N型阱，解决了由于深N型阱的载流子浓度低所导致的JFET器件的导通电流较小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
