[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法

摘要

本申请提供一种紫外LED外延结构及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，所述外延结构包括：衬底、第一AlN层、第二AlN层、AlN/AlGaN超晶格应力释放层、N型AlcGa1‑cN欧姆接触层和AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区；其中，AlN/AlGaN超晶格应力释放层至少包括第一超晶格和第二超晶格。AlN/AlGaN超晶格应力释放层能够有效缓解第二AlN层与N型AlcGa1‑cN欧姆接触层之间的应变，并且超晶格中渐变的Al组分能够降低位错密度，逐步释放晶格失配导致的应力，进而获得无龟裂、高质量的紫外LED外延结构，提高了深紫外光LED的输出功率，改善深紫外光泛白的现象。