[发明专利]一种基于p-n结光致磁阻传感器的新方法有效
| 申请号： | 202010157452.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111398879B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 贾慧娜 |
| 地址： | 730014 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于p‑n结光致磁阻传感器的新方法，属于礠阻传感器的制造技术领域。我们在n型硅基片上正反两面采用离子注入的方法，制备获得了Si(n+)/Si(n)/Si(p+)结构二极管磁传感器。本发明中对铜电极进行溅射处理，不需要设置复杂的结构，能够提高Si(p+)和Si(n+)的离子浓度，使其能够分布均匀，能够提高靶的另一面的磁场强度，保证溅射电压的稳定性。本发明中的传感器可以在无外加电场的情况下，利用光驱动实现较大范围的磁场数值测试，并可以探测外加磁场的方向。本发明中光电效应产生的非对称磁阻不仅无需外加电源，而且还可以识别磁场的方向，更重要的是它可以自然地将传统p‑n结器件的磁电效应和光电效应整合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结光致 磁阻 传感器 新方法 | ||
【主权项】：
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