[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202010157731.2 | 申请日: | 2020-03-09 |
公开(公告)号: | CN112038353A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 峯村洋一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11565 | 分类号: | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式使半导体存储装置存储的数据的可靠性提升。实施方式的半导体存储装置包括包含胞区域CA的半导体层、第1及第2接点、多个第1导电体层、多个柱、及多条分流线。第1及第2接点SLT各自沿着第1方向延伸且设置在半导体层上。多个第1导电体层在半导体层的上方且第1及第2接点间,相互分离而积层。多个柱各自贯通多个第1导电体层,且设置在胞区域内的半导体层上。多条分流线SH各自沿着第2方向延伸且并排设置在第1方向,与第1及第2接点电连接。配置在第1方向上的端部侧的分流线与胞区域的第1方向上的端部之间的第1方向上的间隔L1,比相邻的两条分流线间的第1方向上的间隔L2更窄。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的