[发明专利]一种Mg掺杂Inx

摘要

本发明实施方式公开了一种Mg掺杂InxAl1‑xN材料的结构性能测试方法，本方法通过建立InxAl1‑xN模型，并将InxAl1‑xN分为AlN、In0.25Al0.75N、In0.5Al0.5N、In0.75Al0.25N、InN五个单层模型，将Mg原子替换单层AlN、In0.25Al0.75N、In0.5Al0.5N、In0.75Al0.25N中的Al原子，将Mg原子替换单层In0.25Al0.75N、In0.5Al0.5N、In0.75Al0.25N、lnN中的In原子，分别得到八种单层结构模型，采用计算机软件对InxAl1‑xN材料进行计算，分析得出Mg原子掺杂对InxAl1‑xN材料稳定性、导电性以及光学性能的影响。本发明通过分别将Mg替位式掺InxAl1‑xN材料，制备八种模型相应的晶格构型，检测出Mg掺杂InxAl1‑xN的晶格常数、能带结构、态密度结构、复介电函数，以测试Mg掺杂InxAl1‑xN材料的稳定性能、导电性能、光学性能，便于InxAl1‑xN更好地进行实际的掺杂应用，有效调节或改变InxAl1‑xN材料的性能，使InxAl1‑xN材料的应用更广。