[发明专利]存储器的形成方法有效
| 申请号： | 202010159638.5 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111354636B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陆霄宇;齐瑞生;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括衬底，位于衬底正面的遂穿氧化层、第一氮化硅层和第一顶部氧化硅层，以及位于衬底背面的底部氧化硅层、第二氮化硅层和第二顶部氧化硅层；去除第一顶部氧化硅层和第二顶部氧化硅层；在第一氮化硅层上形成第三顶部氧化硅层，同时，第二氮化硅层下方也形成了不均匀的第四顶部氧化硅层；在SONOS区域的第三顶部氧化硅层上形成保护层；刻蚀第四顶部氧化硅层；去除非SONOS区域的第三顶部氧化硅层；去除保护层，去除非SONOS区域的第一氮化硅层和第二氮化硅层。最终，解决了刻蚀过程中衬底背面产生不均匀ONO的问题，避免了由于质量不均带来的晶圆翘曲等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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