[发明专利]带保护环结构的氮化物器件在审
| 申请号： | 202010160226.3 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111326568A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带保护环的氮化物器件,包括有源区和终端区的氮化物器件结构；所述氮化物器件结构包括衬底、氮化物缓冲层、外延结构、介质层、漏极、源极、栅极、保护环沟槽和保护环金属；所述氮化物缓冲层形成在所述衬底上；所述外延结构包括自下而上依次设置在所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层、氮化物插入层和氮化物势垒层。本发明由于在有源区和终端区之间设置保护环沟槽结构，使得有源区和终端区的外延结构电气隔离，同时保护环金属和源极电气连接，可以有效提升器件的静电防护能力和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 保护环 结构 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
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