[发明专利]厚度分布均匀的膜层形成方法及半导体结构

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种厚度分布均匀的膜层形成方法及半导体结构。所述厚度分布均匀的膜层形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底中具有用于形成膜层的不平坦表面；采用原位水汽生长工艺于第一温度下形成第一子层于所述不平坦表面；采用原位水汽生长工艺于第二温度下形成第二子层于所述第一子层表面，所述膜层至少包括所述第一子层和所述第二子层，所述第二温度高于所述第一温度。本发明于不平坦表面生成的膜层整体厚度分布均匀，改善了膜层的击穿和漏电现象，提高了半导体结构的电学性能。