[发明专利]反应腔室

摘要

本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体和设置在腔体内的基座，基座包括用于承载基片的承载部和环绕承载部的边缘部，承载部的上表面的高度大于边缘部的上表面的高度，其中，反应腔室还包括：第一挡环，所述第一挡环设置在所述边缘部的上表面且环绕所述承载部设置，且所述承载部的上表面高于所述第一挡环的上表面；第二档环，第二挡环设置在第一挡环背离边缘部的一侧，且包括：本体部和设置在本体部远离第一挡环一侧的遮挡部，遮挡部突出于第二挡环靠近承载部的表面，遮挡部用于遮挡基片的边缘。本发明可以使基片所在区域的工艺气体流速更均匀，提高基片整体的膜厚均匀性。