[发明专利]三维存储器制造方法及三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器制造方法及三维存储器，该方法包括：形成半导体结构，半导体结构的堆栈结构中还设置有底部位于刻蚀停止层的第一结构孔；去除位于第一结构孔底部的刻蚀停止层，并暴露位于刻蚀停止层底部的绝缘层；将第一结构孔底部进一步延伸至牺牲层中；去除牺牲层，以形成牺牲间隙；在牺牲间隙中形成第二基底；在第一结构孔中形成公共源极触点。通过在三维存储器的堆栈结构中设置刻蚀停止层，刻蚀停止层可以作为第一结构孔刻蚀的停止层，由于刻蚀停止层在堆栈结构中的位置确定，可以减小最后一个工艺步骤中的刻蚀深度，从而降低加工误差，精确控制刻蚀精度，第一结构孔的底部可以恰好位于牺牲层中，不会过深或者过浅。