[发明专利]一种AlGaAs外延层光照氧化方法有效
| 申请号： | 202010164122.X | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111029904B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李善文;李辉杰;颜虎 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 刘敦枫 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaAs外延层光照氧化方法，包括：步骤S01：采用GaAs衬底生长AlGaAs外延层；步骤S02：在所述AlGaAs外延层上生长透射外延层，刻蚀所述透射外延层和所述AlGaAs外延层形成沟道，采用光照装置照射所述沟道；或直接采用光照装置通过显微镜物镜照射所述AlGaAs外延层；步骤S03：记录所述AlGaAs外延层由第一折射率变化为第二折射率的氧化时间，观测确认被氧化的区域的氧化宽度或氧化厚度并计算氧化速率。采用光照加速氧化的方法，使生长的AlGaAs外延层在常温空气中进行快速氧化，同时可快速判定AlGaAs外延层氧化速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algaas 外延 光照 氧化 方法 | ||
【主权项】：
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