[发明专利]一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器有效
申请号: | 202010164766.9 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111341875B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 李永俊;何天应;兰长勇;李春 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器,应用于光电探测技术领域,针对现有的光电探测器受限于石墨烯的弱吸光性能,响应度低的问题,本发明首先在n型二氧化硅/硅基底上干法刻蚀暴露出n型硅窗口;然后在硅窗口附近镀上金/铟电极,其次采用机械剥离制备二硒化钯微晶片,并利用定位干法转移二硒化钯于硅窗口;最后采用湿法转移的方式转移石墨烯,覆盖于二硒化钯与电极表面,其中二硒化钯作为石墨烯与硅之间的界面修饰层,单个硅窗口对应的石墨烯层、二硒化钯层、n型硅基底形成石墨烯/二硒化钯/硅异质结;本发明的器件制备工艺简单,且器件具有自驱动性,在可见‑近红外光波段具有较高的响应度等优良的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 二硒化钯 硅异质结 驱动 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的