[发明专利]改善光阻显影均匀性的方法在审
申请号: | 202010166105.X | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN113391528A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 汪磊 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善光阻显影均匀性的方法。所述改善光阻显影均匀性的方法包括如下步骤:提供一基底,所述基底表面涂覆有光阻层,所述光阻层包括第一区域以及环绕所述第一区域外周分布的第二区域;传输显影液至所述第二区域,对位于所述第二区域的所述光阻层进行显影;传输显影液至所述第一区域,对位于所述第一区域的所述光阻层进行显影。本发明避免了显影液自中心流向边缘的过程中由于显影能力降低导致的边缘显影不彻底的问题,确保了所述光阻层整体显影的均匀性,避免了边缘区域的光阻层残留,确保了后续制程的顺利进行,改善了半导体结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 改善 显影 均匀 方法 | ||
【主权项】:
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