[发明专利]一种低温碳包覆多孔硅复合负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010166721.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111653735A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵东辉;周鹏伟;白宇;李二威 | 申请（专利权）人： | 深圳市翔丰华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 吴成开;徐勋夫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开一种低温碳包覆多孔硅复合负极材料及其制备方法，通过先将商用SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 低温 碳包覆 多孔 复合 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市翔丰华科技股份有限公司，未经深圳市翔丰华科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010166721.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
