[发明专利]一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备在审

专利信息
申请号: 202010167846.X 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN113393878A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 程振;李志雄;钟衍徽 申请(专利权)人: 深圳市江波龙电子股份有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C11/4063
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 周心志
地址: 518057 广东省深圳市南山区科发路8*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电压进行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。
搜索关键词: 一种 dram 电压 控制电路 内存条 电子设备
【主权项】:
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