[发明专利]光子忆阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010168188.6 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111367132A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张启明;顾敏;陈希;栾海涛 | 申请（专利权）人： | 张启明;顾敏;陈希;栾海涛 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 林彦之 |
| 地址： | 200093 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光子忆阻器及其制造方法，属于光子学技术领域。本发明的光子忆阻器，包括：基板；光双稳层，形成于基板上表面，光双稳层包括第一二维晶体材料单元和第二二维晶体材料单元，所述第一二维晶体材料单元具有第一还原态，所述第二二维晶体材料具有第二还原态，所述第一还原态不同于所述第二还原态。光子忆阻器的光双稳层能以光子为信号载体进行数据传输，相对于以电信号为载体的电子忆阻器而言，提高了数据传输的速度，且功耗低，便于集成应用。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 忆阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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