[发明专利]一种固态图像拾取装置及其制造方法有效
申请号: | 202010168526.6 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111211140B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 朱莹;李秀芳 | 申请(专利权)人: | 中乾思创(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 重庆创新专利商标代理有限公司 50125 | 代理人: | 李智祥 |
地址: | 102303 北京市门头沟区大台商贸公*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种固态图像拾取装置及其制造方法,根据本发明的固态图像拾取装置,其利用第一掺杂区和第二掺杂区形成反向PN结,以减小寄生电容,防止漏电和电流的聚集;并且在形成由于第一掺杂区和第二掺杂区采用原位掺杂方式,会导致该区域的应力过大,不利于布线层的连接可靠性,引出在第二掺杂区上的布线层上设置应力缓冲层,以防止应力损毁布线层。 | ||
搜索关键词: | 一种 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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