[发明专利]多频低噪声放大器有效
| 申请号： | 202010170071.1 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111277230B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种多频低噪声放大器，对于在输入侧通过第一单级射频开关和第二单级射频开关的通断控制切换、选择输入电感的绕线圈数，在输出侧通过第一双级射频开关和第二双级射频开关的通断控制切换、选择输出电感的绕线圈数，辅以可变电容第二电容和第三电容，避免了现有技术中由于匹配网络无源器件固化，而导致低噪声放大器仅能够工作在单频段的问题，实现电感值可调，从而实现电路工作频带可调。此外，本发明通过在射频开关在切换电感线圈时能够改变线圈的线宽以及相邻线圈的间距以优化外圈线圈的电导和内圈的磁场，从而改善可切换电感的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
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