[发明专利]一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010170752.8 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113394264A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 赵家宽;曾丹;史波;赵浩宇;刘勇强 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片及其制备方法，所述芯片包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅场板，位于多晶硅场板及未被所述多晶硅场板覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本发明的芯片设置了平电场沟槽结构，优化了现有的芯片制造流程及工艺参数，并采用CMP工艺，制备了具有表面平电场沟槽结构的功率半导体芯片，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 沟槽 半导体 芯片 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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