[发明专利]半导体装置、半导体晶片和其制造方法在审
| 申请号： | 202010171982.6 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112309992A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘家颖;杨武璋;刘嘉蓉;黄吉志 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置、半导体晶片和其制造方法。本公开提供了一种半导体装置。所述半导体装置包含半导体衬底和第一深沟槽隔离DTI结构，所述第一DTI结构填充有形成于所述半导体衬底上的介电材料。所述第一DTI结构安置在第一密封环区域中并延伸到所述半导体衬底中。所述半导体衬底具有像素阵列区域和第一密封环区域。所述第一密封环区域靠近所述半导体衬底的边缘并围绕所述像素阵列区域。所述第一DTI结构形成于所述第一密封环区域中并围绕所述像素阵列区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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