[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010174461.6 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113394118B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述基板的第一表面内具有至少一个长条状的凹槽，所述凹槽的两端延伸至基板边缘，为开放端口，所述凹槽的深度小于所述基板的厚度；芯片，所述芯片通过焊接凸点倒装固定于所述基板的第一表面上，通过所述焊接凸点与所述基板之间形成电连接，所述凹槽至少部分位于所述芯片在所述基板上的投影内；底部填充层，填充满所述芯片与所述基板的第一表面之间的间隙；塑封层，覆盖所述底部填充层，并包裹所述芯片。所述封装结构在注塑过程中能够有效排出内部气体，且不影响基板背面的连接面积。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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