[发明专利]一种二维硅的制备方法及其应用

摘要

本发明涉及二维硅制备技术领域，尤其涉及一种二维硅的制备方法及其应用。所述方法包括如下步骤：以ASi2型合金为前驱体，采用化学脱合金或者真空脱合金的方法对所述前驱体进行处理，即可得到二维硅。本发明的二维硅的制备方法能够以商业化的合金作为前驱体，这类前驱体的种类多，成本低，可以显著降低二维硅的制备成本。另外，本发明的制备方法不需制备特定的前驱体、不需煅烧、不需球磨，也没有繁杂的反应工序，因此，本发明的制备工艺简单、成本低，极大地提高了生产效率高，能更好地满足工业化生产的需要，实现大规模生产，极具应用前景。