[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010175101.8 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111403406B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张中 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制备方法，属于半导体存储器设计及制造领域。该三维存储器的第一块存储区包括第一核心区及第一台阶区，第二存储区包括第二核心区第二台阶区，第一、第二核心区沿第一方向相邻排布且相互隔离，第一、第二台阶区沿第二方向相邻排布且相互隔离，第一台阶区具有沿第一方向延伸至第二核心区内部的第一台阶拓宽部；第二台阶区具有沿第一方向反向延伸至第一核心区内部的第二台阶拓宽部。本发明通过新颖的栅线隙(GLS)设计，使得块存储区的台阶区具有延伸进入相邻块存储区的核心区的台阶拓宽部，实现单个块存储区台阶区域宽度的增加，有利于分区数量的增加并可降低存储器架构的设计难度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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