[发明专利]一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质有效
申请号: | 202010175353.0 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN113391516B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 徐进 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质,其中光学临近效应修正方法包括:根据目标图形的设计规则,制作测试图形光罩;获取光学临近效应修正模型所需的数据,并建立光学临近效应修正模型;获取测试图形的线端回缩数据,并建立线端回缩规则表;根据线端回缩规则表,确定初始修正值;根据初始修正值和光学临近效应修正模型对目标图形进行修正。本发明实施例提供的方法通过建立线端回缩规则表确定初始修正值,利用初始修正值进行光学临近效应修正,可以有效提高光学临近效应修正在修正线端回缩时的收敛性,提高修正效率,减少光学临近效应修正的运行时间,进而提高半导体制造效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 临近 效应 修正 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备