[发明专利]基于3D NAND FLASH存储阵列的TCAM及其操作方法在审
| 申请号： | 202010179205.6 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111462792A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 黄鹏;杨昊璋;康晋锋;韩润泽;项亚臣;刘晓彦;刘力锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开是一种基于3D NAND FLASH存储阵列的TCAM及其操作方法。该TCAM包括：数据输入单元，包括上下两个相邻的字线，用于加载待搜索数据；数据存储单元，包括上下两个相邻的FLASH存储单元，预先存储数据库数据，以与待搜索数据进行内容比较；控制驱动单元，包括漏极选择管、源极选择管、漏极选择线、源极选择线和位线，用于逻辑功能的控制；匹配结果输出单元，包括一源线，输出三态内容寻址存储器对待搜索数据的查找和匹配结果。由于3D NAND FLASH是非易失性存储器，掉电之后存储的数据不会丢失，在非查找状态不需持续供电，所以相比传统的基于SRAM的TCAM而言，本公开的TCAM没有待机功耗，能够明显降低静态功耗，有效减小电路面积，对未来TCAM系统的设计和应用具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 存储 阵列 tcam 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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