[发明专利]一种半导体装置在审
| 申请号： | 202010181376.2 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113410301A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311100 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，本发明的半导体装置将金属半导体材料化合物设置在触发电极和半导体材料之间，通过隧穿效应实现触发开启下器件的导电，以此抑制MIS结构中沟道导通电阻，特别对于低反向阻断压降的MIS结构器件，可有效降低导通电阻，减少反向阻断下肖特基的漏电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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