[发明专利]多次可编程存储器的单元结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010182566.6 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111430452A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 秋珉完;金起準 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多次可编程存储器的单元结构及其制作方法，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本发明提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储器 单元 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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