[发明专利]三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010183344.6 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111370423B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张坤;吴林春;刘磊;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器及其制作方法。所述三维存储器包括：堆栈层，包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，所述堆栈层包括存储阵列区，所述存储阵列区包括纵向贯穿所述存储阵列区的存储串沟道结构和栅极线狭缝；位于所述堆栈层外围的贯穿阵列区，所述贯穿阵列区包括纵向贯穿所述贯穿阵列区的第一通道触点；形成于所述堆栈层顶部，并连接所述存储串沟道结构的半导体层，所述半导体层具有一共源极引出点；以及，形成于所述半导体层上方，并连接所述共源极引出点和所述第一通道触点的共源极导电结构。本发明能够简化三维存储器的结构和制作工艺，提高三维存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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