[发明专利]电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶制备方法在审
| 申请号： | 202010184490.0 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111266580A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈凯;朱文欣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B22F3/105 | 分类号： | B22F3/105;B33Y10/00;B33Y50/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶的制备方法，方法包括以下步骤：打磨基材平整后，将基材放置于电子束增材制造装置的加工仓中且抽真空，电压55‑70kV及束流2‑6mA的电子束对基材的预加工区域预热15s，将高熵或中熵合金材料通过增材的方式制备于基材之上以制成高熵或中熵合金试样，然后泄真空，取出高熵或中熵合金试样，其中，电子束电压55‑70kV，束流5‑15mA，移动速度为500‑1000mm/min，表征高熵或中熵合金试样微观结构，调整工艺参数直至制备出微柱状晶，使用调整后的工艺参数生产高熵或中熵合金微柱状晶。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 制造 合金 柱状 制备 方法 | ||
【主权项】：
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