[发明专利]用于具有高精度和高密度的基于EMIB的基板的新型无芯架构和处理策略在审
| 申请号： | 202010185807.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111834326A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | X·D·孙周;D·马利克;X·郭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括半导体封装和形成半导体封装的方法。半导体封装包括封装基板之上的多个导电层。导电层包括封装基板中的第一导电层和第一级互连(FLI)。半导体封装还包括：阻焊剂，所述阻焊剂围绕FLI，其中，阻焊剂具有的顶表面与FLI的顶表面基本上共面；桥，所述桥用焊料球直接耦合到第一导电层，其中，第一导电层耦合到FLI；以及电介质，所述电介质在封装基板的导电层、桥和阻焊剂之上。桥可以是嵌入式多管芯互连桥(EMIB)。第一导电层可以包括第一导电焊盘和第二导电焊盘。FLI可以包括第一导电过孔、第二导电过孔、扩散层以及第三导电焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 高精度 高密度 基于 emib 新型 架构 处理 策略 | ||
【主权项】：
暂无信息
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