[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010185960.5 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111415994A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;陆丛研;王嘉玮;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/34;H01L31/113;H01L31/18;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种薄膜晶体管及其制作方法，其中所述薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层；源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。本发明的薄膜晶体管采用腔体结构的栅介质层大幅降低了传统材料作为栅介质层存在的缺陷，提高了薄膜晶体管的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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