[发明专利]一种基于量子碳膜的pn结二极管结构及制作方法

摘要

一种基于量子碳膜的pn结二极管结构及制作方法，该pn结二极管结构包括：p型基板，所述p型基板是由多层石墨烯层上下层叠形成的量子碳膜基板；位于所述p型基板的上侧的n型层，所述n型层是通过在所述p型基板中注入掺杂元素而形成，所述n型层与所述p型基板形成pn结；位于所述n型层上与所述n型层形成欧姆接触的上电极；以及位于所述p型基板的下侧与所述p型基板形成欧姆接触的下电极。该pn结二极管结构可应用于高温、高频、高效的大功率器件，能够提高器件性能。该制作方法工艺简单，易于量产和普及。