[发明专利]一种薄膜电阻器结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010187840.9 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111261348A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫;徐艳;汪鹏;叶宇诚 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/22;H01C1/012;H01C1/02;H01C1/14;H01C17/00;H01C17/02;H01C17/28 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜电阻器结构及制备方法，该薄膜电阻器结构包括：绝缘衬底，电阻层，其分布在绝缘衬底的表面；绝缘层，其覆盖在电阻层上且预留通孔；以及金属电极层，其分布在绝缘层上并通过通孔与电阻层连接。该制备方法，包括：采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底上形成电阻层；采用溅射工艺，在电阻层上溅射绝缘层；利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在绝缘层上开至少两个通孔；通过光刻和金属层剥离的工艺，在绝缘层及通孔内覆盖金属电极层，通过通孔使得金属电极层与电阻层连接。本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电阻器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海矽安光电科技有限公司，未经上海矽安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010187840.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
