[发明专利]一种防止铝电极迁移的LED芯片在审
| 申请号： | 202010189406.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111312873A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止铝电极迁移的LED芯片，包括发光结构、设于发光结构上的电极结构、以及防迁移结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括Cr层和Al层，所述Cr层设于发光结构上，所述Al层设于Cr层上，所述防迁移结构为单层结构或至少三层的单数叠层结构。本发明在第一电极的Cr层和Al层之间设置防迁移结构，有效防止Al层中的金属迁移到发光结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 电极 迁移 led 芯片 | ||
【主权项】：
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