[发明专利]一种黑磷单晶片的制备方法在审
| 申请号： | 202010189798.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113493929A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 喻学锋;喻彬璐;王佳宏 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科墨磷科技有限公司;深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518111 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种黑磷单晶片的制备方法，该方法涉及大尺寸二维单晶材料生长方面。制备方法是将磷源、催化剂按照一定质量比例加入密封反应器中，再进行烧结，最终得到大尺寸黑磷单晶片。本方法获得的黑磷单晶片水平尺寸可达厘米级，片状结构完整性高，且成功实现单晶片之间分散成核生长，不互相粘连，能够获得高质量无损单晶黑磷单晶片，有利于下游应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑磷 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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