[发明专利]LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010190471.9 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111540816A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 吴志益;朱阳波 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底可剥离式LED外延结构、LED芯片及衬底可剥离式LED外延结构的制备方法，衬底可剥离式LED外延结构包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和半导体层，GaAs缓冲层设置于GaAs衬底上，AlAs牺牲层设置于GaAs缓冲层上；AlAs牺牲层上设置有多个凹陷部，半导体层设置于AlAs牺牲层上。与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：本发明通过在AlAs牺牲层上设置有凹陷部，多个凹陷部在外延结构的横截面上形成波浪线状的切面边缘，使得半导体层的下表面之间通过凹凸不平的接触面贴合在一起，借助凹凸不平的接触面来提高腐蚀效果和降低AlAs牺牲层和半导体层之间的应力，进而实现GaAs衬底的轻松剥离，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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