[发明专利]一种用于碳化硅MOSFET驱动的反激式电源控制方法

摘要

本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET驱动的反激式电源控制方法，属于碳化硅MOSFET器件的驱动领域。方法包括：当半桥电路中上下管碳化硅MOSFET均未动作时，控制反激式电源输出电压；当半桥电路中上下管碳化硅MOSFET开始动作时，根据半桥电路上下管碳化硅MOSFET当前开关状态控制反激式电源占空比，调节反激式电源的输出电压，对碳化硅MOSFET进行驱动。本发明对碳化硅MOSFET开通时产生的正电压串扰进行降压补偿，对关断产生的负电压串扰进行增压补偿，从而减小了电压串扰；避免了由于串扰叠加导致短时间内栅源电压过大或过小对碳化硅MOSFET器件产生不可逆转的损耗，在不牺牲碳化硅MOSFET高速开关特性的前提下，保证其能够安全稳定的工作。