[发明专利]纳米晶及纳米晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010194535.2 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111410961A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 汪均;袁秀玲;苏叶华;乔培胜 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C01B25/08;C01B19/00;C01G9/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种纳米晶及其制备方法。该纳米晶包括第一纳米结构和多个第二纳米结构,第一纳米结构为InZnP/ZnSe,第二纳米结构为ZnS,第二纳米结构围绕第一纳米结构,且第二纳米结构的至少一部分不和第一纳米结构连接,且第二纳米结构的至少一部分和第一纳米结构连接,多个第二结构覆盖至少一部分第一纳米结构的表面。该纳米晶具有花朵状,更利于对其表面结构的设计和发光性能的优化。同时,制备该纳米晶的方法简单、可控,制备得到的纳米晶分散良好,尺寸均一,性能良好。
搜索关键词: 纳米 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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