[发明专利]纳米晶及纳米晶的制备方法在审
申请号: | 202010194535.2 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111410961A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 汪均;袁秀玲;苏叶华;乔培胜 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C01B25/08;C01B19/00;C01G9/08 |
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地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种纳米晶及其制备方法。该纳米晶包括第一纳米结构和多个第二纳米结构,第一纳米结构为InZnP/ZnSe,第二纳米结构为ZnS,第二纳米结构围绕第一纳米结构,且第二纳米结构的至少一部分不和第一纳米结构连接,且第二纳米结构的至少一部分和第一纳米结构连接,多个第二结构覆盖至少一部分第一纳米结构的表面。该纳米晶具有花朵状,更利于对其表面结构的设计和发光性能的优化。同时,制备该纳米晶的方法简单、可控,制备得到的纳米晶分散良好,尺寸均一,性能良好。 | ||
搜索关键词: | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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