[发明专利]晶片的分割方法在审
| 申请号： | 202010194654.8 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111799218A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 井上雄贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的分割方法，从晶片的正面良好地去除加工屑。在分割工序中对晶片(W)进行分割而得到芯片(C1)之后，在研磨工序中对芯片(C1)的正面(2a)进行研磨。由此，能够将附着或熔接在芯片(C1)的正面(2a)上的加工屑良好地去除。因此，能够提高与芯片(C1)制造相关的成品率。另外，在本实施方式中，在研磨工序中对芯片(C1)的正面(2a)实施使用了浆料的CMP研磨。这样的CMP研磨是在制造晶片(W)时对器件(4)的正面(即正面(2a))实施的研磨。因此，在研磨工序中，能够抑制芯片(C1)的正面(2a)发生劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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